300C
- P2+(aq)/ P(s) = +0.40V [P3+] = 0.1M
- Q3+(aq)/Q(s) = +1.66V [Q3+] = 0.5M
- R2+(aq)/R(s) = +0.44V
উদ্দীপকের (i) ও (ii) তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের emf গণনা করো।
A.
B.
C.
D.
Explanation:
Related Questions (Any University/Year)
- M+M → M2++ M'(s) এখানে, E°M²+/M = + 0.34 V এবং E°M+/M = + 0.80 Vকোষটির ক্ষেত্রে-M-এর পাত্র ব্যবহার করা যাবেM' এসিড থেকে হাইড্রোজেন প্রতিস্থাপন করতে পারেকোষ বিক্রিয়াটি স্বতঃস্ফূর্তভাবে ঘটবে নিচের কোনটি সঠিক?
- উদ্দীপকের তড়িৎবিশ্লেষ্যের দ্রবণটিকে দীর্ঘদিন দস্তাপাত্রে সংরক্ষণ সম্ভব হবে কিনা- গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ করো।'[C-2.4.5, My.B-SciCQ4 : 2023-24]
- দস্তা(Zn) এবং তামা(Cu) দ্বারা দুটি পাত্র গঠিত হয়েছে। উপরে উল্লিখিত ধাতু সমূহের সক্রিয়তা ব্যাখা করো।
- তড়িচ্চালক বলের সংজ্ঞা লিখ।
- 25o C তাপমাত্রায় EoM3+/M = 1.42 V EoNi+/Ni2 = 0.25 Vযদি পাত্রটি M-ধাতুর তৈরি হয় তবে উদ্দিপকের দ্রবণটি দীর্ঘদিন সংরক্ষণ করা যাবে কি ? গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ করো ।
- Li, Na, Zn ও Cu এর প্রমাণ জারণ বিভব যথাক্রমে + 3.04 V, +2.71 V, +0.76 V ও -0.34 V হলে তড়িৎ বিশ্লেষণের সময় কোন আয়নটি সর্বপ্রথম চার্জমুক্ত হবে?
- কোনটি আগে e- ত্যাগ করবে?
- A: E°A/A2+ = +0.76 VB: E°B/B2+=+ 0.25 VC: E°D/D2+ =+0.34 VA ধাতুর পাত্রে B2+ দ্রবণটি সংরক্ষণ করা যাবে কী? গাণিতকভাবে বিশ্লেষণ কর।
- নিচের তথ্যসমূহ লক্ষ্য কর এবং প্রশ্নগুলোর উত্তর দাও:A(s)/A2+(0.5M) || B2+ (0.3M)/B(s)(i)E°A2+/A = - 0.76V(ii) E°B²+/B =+0.34 V(ii) E°C+/C = - 0.79Vউদ্দীপকের কোষটির কোষ ডায়াগ্রাম অংকন করে কোষ বিক্রিয়াটির স্বতঃস্ফূর্ততা ব্যাখ্যা কর।
- 25oC তাপমাত্রায় পটাশিয়ামের প্রমান বিজারন বিভব কত ?
- Zn2+|Zn এবংAg2+|Ag তড়িৎদ্বার দুটির বিজারণ বিভব -0.76V এবং +0.80 V. এই তড়িৎদ্বার দুইটি দ্বারা তৈরী কোষের মোট বিভব কত হবে?
- কোন মৌলটি H₂O থেকে হাইড্রোজেন প্রতিস্থাপন করতে পারে না?
- সক্রিয়তার সিরিজে সবচেয়ে বেশি সক্রিয় ধাতু কোনটি?
- Pt, H₂(g) (1atm)/HCI (1M) || AgNO3(1M)/Ag(s) 25°C তাপমাত্রায় E°Ag/Ag+ = - 0.80Vউদ্দীপকের কোষটির EMF কত?
- E_(cr"/"cr^(2+))^o=2.71V E_(Fe"/"Fe^(2+))^0 = +1.44VE_(Al"/"Al^(3+))^0 = +1.66Vউদ্দীপকের অ্যানোডের দ্রবণটিকে AI ধাতু নির্মিত পাত্রে সংরক্ষণ করা যাবে কিনা? গাণিতিক যুক্তি দাও।
- তামার প্রমান বিজারণ বিভব কত?
- তিনটি তড়িৎদ্বার ও তাদের তড়িৎদ্বার বিভব দেয়া আছে,Zn(s)/Zn2+(aq) Eo = +0.76VFe(s)/Fe2+(aq) Eo = +0.44VCu(s)/Cu2+(aq) Eo = -0.34Vতড়িৎদ্বার তিনটি দ্বারা গঠিত দুটি কোষ হল—Zn(s)/Zn2+(aq) || Cu2+(aq) /Cu(s)গঠিত কোষসমূহে কোন তড়িৎদ্বার হতে ধনাত্মক আয়ন দ্রবণে প্রবেশ করবে?
- কোন আয়ন সহজে চার্জ যুক্ত হয়?
- সাধারণ তাপমাত্রায় H2O থেকে H2 প্রতিস্থাপন করতে পারে কোন ধাতু?
- যদি নিচের চারটি সেলের emf এর মান যথাক্রমে E1, E2, E3 ও E4 হয় তাহলে নিচের কোন কোনটি সঠিক?Zn|Zn2+ (0.1M)||Ag+(1M)|AgZn|Zn2+ (1M)||Ag+(0.1M)|AgZn|Zn2+ (1M)||Ag+(1M)|Ag(Zn|Zn2+ (0.02M)||Ag+(0.1M)|Agনিচের কোন কোনটি সঠিক?
- তড়িৎ বিশ্লেষণকালে নিচের কোন আয়নটি আগে চার্জমুক্ত হবে?
- কোনটি আগে চার্জমুক্ত হবে?
- E°D2+/D=-1.65 V E°X/X2+=0.79 V; E°Y2+/Y=-0.41 Vউদ্দীপকের অ্যানোডের দ্রবনকে D পাত্রে সংরক্ষণ করা যাবে কিনা - গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ কর।
- A ধাতুর ক্ষেত্রে E0A/A2+ = 0.88VB ধাতুর ক্ষেত্রে E°B2+/B = -0.35Vউদ্দীপকের তড়িৎদ্বারদ্বয় দ্বারা গঠিত কোষের জন্য- E0cell = E0A/A2+ + E0B/B2+E0cell = E0A2+/A + E0B2+/BE0Cell = E0B2+/B + E0A2+/Aনিচের কোনটি সঠিক?
- জিংক তড়িৎদ্বারের প্রমাণ জারণ বিভব +0.76 V বলতে কী বুঝায়?
