কোষের তড়িৎচালক বল নির্ভর করে-
- বিক্রিয়ক এবং উৎপাদকের ঘনমাত্রা
- তাপমাত্রা
- তড়িৎদ্বারের প্রকৃতির ওপর
নিচের কোনটি সঠিক?
A.
i ও ii
B.
ii ও iii
C.
i ও iii
D.
i, ii ও iii
সঠিক উত্তরঃ
D.
i, ii ও iii
Another Explanation (5): উত্তর: i, ii ও iii
ব্যাখ্যা:
কোষের তড়িৎচালক বল বা ইলেকট্রিক কন্ডাক্টিভিটি নির্ভর করে নিম্নলিখিত বিষয়গুলির উপরে:
- বিক্রিয়ক (অর্থাৎ, কণিকা বা ইলেকট্রনের) এবং উৎপাদকের (অর্থাৎ, ধাতুর বা অন্য উপাদানের) ঘনমাত্রা:
- বিক্রিয়ক বা ইলেকট্রনের ঘনমাত্রা বেশি হলে, কণাগুলির মধ্যে ইলেকট্রিক চার্জ স্থানান্তর সহজ হয়, ফলে তড়িৎচালক বল বৃদ্ধি পায়।
- তাপমাত্রা:
- সাধারণত, তাপমাত্রা বৃদ্ধি পেলে কণাগুলির গতি ও ঝাঁকুনির মাত্রা বাড়ে, যা ইলেকট্রিক কন্ডাক্টিভিটিকে কমিয়ে দেয়।
- তড়িৎদ্বারের প্রকৃতির ওপর:
- তড়িৎদ্বারের প্রকৃতি যেমন ধাতু বা অ-ধাতু, তার উপর নির্ভর করে কন্ডাক্টিভিটিতে পার্থক্য তৈরি হয়। ধাতুতে ইলেকট্রিক চার্জের স্থানান্তর সহজ, ফলে তাদের তড়িৎচালক বল বেশি।
Related Questions (Any University/Year)
- সক্রিয়তা সিরিজ মতে নিচের কোনটি সঠিক?
- M/M2+ || N+/NE_(M"/"M^(2+))^° = 0.76V ; E_(N"/"N^(+))^°= -0.46Vএই কোষের emf মান কত?
- Zn/Zn\(^{2+}\) এবং Ag/Ag\(^{+}\) তড়িৎদ্বারের প্রমাণ জারণ বিভব +0.76V এবং -0.80V হলে, তড়িৎ কোষটির বিভব মান কত?
- (a) CuSO4 এর 0.5M এর 4L দ্রবণে 5hr ধরে 15A মাত্রার বিদ্যুৎ প্রদান করে তড়িৎ বিশ্লেষণ করা হলো।(b) 0.75g H2O2 এর 100 mL দ্রবণ। এ থেকে 20 mL নিয়ে, রিডক্স টাইট্রেশন করতে 0.05 M KMnO4 এর 18.20 mL প্রয়োজন হয়। প্রদত্ত রিডক্স বিক্রিয়ার ক্ষেত্রে বিশুদ্ধতার গ্রহণযোগ্য মান (60-80)%।a - এর ক্ষেত্রে, তড়িৎ বিশ্লেষণের পর, উক্ত দ্রবণের ঘনমাত্রা কত হবে?
- Fe|Fe2+(M)||Cu2+(M)|Cu কোষটির প্রমাণ e.m.f =?
- Zn2+/Zn(s) এবং Cu2+/Cu(s) তড়িৎদ্বারদ্বয়য়ের প্রমাণ বিভব যথাক্রমে -0.76V এবং +0.34V হলে পূর্ণ কোষটির প্রমাণ বিভব কত?
- Galvanizing প্রক্রিয়ায় কোন ধাতুর প্রলেপ দেয়া হয়?
- কোনটির চার্জমুক্ত হওয়ার প্রবণতা বেশি?
- প্রমাণ H2 তড়িৎদ্বারের বিভাবের মান কত?
- জিংক ও আয়রন ধাতু দ্বারা একটি তড়িৎ রাসায়নিক কোষ গঠন করা হলো। কোষটির ক্ষেত্রে জিংক ও আয়রনের প্রমাণ বিজারণ বিভব যথাক্রমে -0.76V এবং-0.44V।উদ্দীপক কোষটির সেল বিভবের মান-
- A(s) + BSO_4 (aq) -> ASO_4 (aq) + B (s)E0A2+ (aq)/A(s) = - 0.76VE0 B2+(aq)/B(s) = +0.44Vউদ্দীপকের বিক্রিয়ার তথ্যানুযায়ী - ‘B’-পাত্রে ASO4 রাখা যাবে ‘A’-পাত্রে BSO4 রাখা যাবে ক্যাথোডে B2+ আয়ন A2+ আয়নের আগে চার্জমুক্ত হবে কোনটি সঠিক?
- উদ্দীপকের ১ম কোষের দ্রবণটিকে B ও C পাত্রে দীর্ঘ সংরক্ষণের এক হবে কী? গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ করো।
- তড়িৎ রাসায়নিক সিরিজে Cu ধাতুর অবস্থান-Fe এর উপরেAg এর উপরেH এর নিচেনিচের কোনটি সঠিক?
- তড়িৎ রাসায়নিক কোষের emf = ?E0Anode(ox)+E0cathode(Red)E0cathode(Red)−E0Anode(Red)E0Anode(ox)−E0cathode(Red)কোনটি সঠিক?
- A এর জারণ বিভব+ 1.66 V, A এর জারণ মান +3B এর জারণ বিভব + 0.76 V, B এর জারণ মান =+2C এর জারণ বিভব -0.80 V, C এর জারণ মান = +1উদ্দীপকের B দ্বারা নির্মিত পাত্রে C₂SO₄ ও A2(SO4)3 দ্রবণের কোনটি দীর্ঘদিন সংরক্ষণ করা যাবে? ব্যাখ্যা কর।
- i)Fe(s)/Fe2+(aq) || Cu2+(aq)/Cu(s)ii)Ag(s)/Ag+(aq) || Zn2+(aq)/Zn(s)দেওয়া আছে,E_(Fe//Fe^(2+))^0 = +0.44VE_(Cu^(2+)//Cu)^0 = +0.34VE_(Ni//Ni^(2+))^0 = +0.44VE_(Zn^(2+)//Zn)^0 = -0.76V উদ্দীপকের কোষ (i) এবং (ii) - এর মধ্যে কোনটির কোষ বিক্রিয়া স্বতঃস্ফূর্তভাবে ঘটবে? গানিতিকভাবে ব্যাখ্যা করো।
- তড়িৎদ্বার বিভব কী?
- X2+ +2e-→X; E°=-0.44 VY2++2e-→Y; E°=-0.25 VZ2++2e-→Z; E°=-2.3 VY2+ আয়নের দ্রবণকে Z-ধাতু নির্মিত পাত্রে সংরক্ষণ করা যাবে কিনা, তা গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ করো।[C-2.4.5, S.B-SciCQ4 : 2023-24]
- Which cell directly makes electric energy from its chemical energy?
- তড়িচ্চালক বল কী?
- E°Zn2+(aq)/Zn(s)=-0.76 VE°Ni2+(aq)/Ni(s)=-0.25 Vউদ্দীপকের কোষ বিক্রিয়া স্বতঃস্ফূর্তভাবে ঘটবে কি? গাণিতিক যুক্তি দাও।[C-2.4.5, Ch.B-SciCQ4 : 2023-24]
- Ag+/Ag এবং Au3+/Au অর্ধকোষদ্বয়ের প্রমাণ বিজারণ বিভব + 0.80 V এবং + 1.56 V। এ দুটি অর্ধকোষ দ্বারা গঠিত কোষের বিভব কত?
- যদি Eocathode= +0.80V এবং Eoanode= -0.76V হয়, তবে গ্যালভানিক কোষের emf কত ভোল্ট হবে?
- নিচের কোনটি H2O(g) থেকে H2 কে প্রতিস্থাপন করতে পারে?
- M2+ + N ⇌ N2+ + M বিক্রিয়াটির Ecell মান কত volt? (জারন বিভব M/M2+ = 0.75 volt, N/N2+ = -0.35 volt)