নিচের তথ্যসমূহ লক্ষ্য কর এবং প্রশ্নগুলোর উত্তর দাও:
A(s)/A2+(0.5M) || B2+ (0.3M)/B(s)
(i)E°A2+/A = - 0.76V
(ii) E°B²+/B =+0.34 V
(ii) E°C+/C = - 0.79V
ইলেকট্রোড i, ii ও iii দ্বারা গঠিত সম্ভাব্য কোষগুলোর কোনটি থেকে অধিক পরিমাণ বিদ্যুৎ উৎপন্ন হবে যুক্তি দাও।
A.
B.
C.
D.
Explanation:
Related Questions (Any University/Year)
- (A) E°Zn2+/Zn= -0.76V;(B) E°Cu2+/Cu= +0.34V;(C) E°Ni/Ni2+= +0.25V Cu পাত্রে NiSO4 দ্রবণ রাখা যাবে B ও C এর দ্বারা গঠিত কোষ বিক্রিয়া স্বর্তঃস্ফূত নয় A ও B এর সমন্বয়ে গঠিত কোষের Emf= +0.11Vনিচের কোনটি সঠিক?
- তড়িৎ বিশ্লেষণে কোনটি আগে চার্জ মুক্ত হবে?
- এই কোষের emf এর মান কত?
- সক্রিয়তা সিরিজে কোনটির অবস্থান উপরে?
- প্রমাণ অবস্থায় নিচের কোষটির EMF কত?Sn(s)/Sn2+ (aq) || H+ (aq)/H2(g) (1.0 atm), (Pt)এখানে E°Sn2+(aq)/Sn(s) = -0.14 V
- Zn/ZnSO4(aq)।। CuSO4/Cu এদের E0 এর মান যথাক্রমে + 0.76V এবং + 0.34Vযদি Cu তড়িৎদ্বারের পরিবর্তে Ag তড়িৎদ্বার ব্যবহার করা হয় হত তবে কি ধরণের পরিবর্তন হতো- তোমার উত্তরের সঠিকতা যাচাই করো।Ag এর E0 এর মান + 0.80 V।
- Cu2+|Cu এবংAg+|Ag অর্ধকোষের প্রমাণ (বিজারণ) ইলেকট্রোড বিভব যথাক্রমে+0.34V এবং +0.80V । এ দুটি অর্ধকোষ দিয়ে গঠিত সেলের বিভব কত হবে?
- H2SO4 দ্রবণকে নিচের কোন ধাতুর তৈরি পাত্রে রাখা যাবে?
- কোষটির কোষ বিভব নির্ণয় করো।
- জিংক ও আয়রন ধাতু দ্বারা একটি তড়িৎ রাসায়নিক কোষ গঠন করা হলো। কোষটির ক্ষেত্রে জিংক ও আয়রনের প্রমাণ বিজারণ বিভব যথাক্রমে -0.76V এবং-0.44V।উল্লিখিত তথ্যের আলোকে-আয়রনের পাত্রে জিংক লবণের দ্রবণ দীর্ঘকালীন রাখা যাবে নাকোষ বিক্রিয়াটি স্বতঃস্ফূর্তভাবে ঘটবেZn ক্ষয়প্রাপ্ত হবেনিচের কোনটি সঠিক?
- Li\(^+\) -এর প্রমাণ বিজারণ বিভব E\(^o\) (V) হলো-
- একটি স্বতস্ফুর্ত বিক্রিয়ার-
- নিম্নের ধাতুগুলির কোনটি জলীয় সিলভার নাইট্রেট দ্রবণে ডুবালে এর পৃষ্ঠতলে সিলভার জমা হবে না?
- একজন শিক্ষার্থী দস্তা ধাতু নির্মিত পাত্রে ফেরাস সালফেট দ্রবণ রাখে। [জিংক ও আয়রনের প্রমাণ বিজারণ বিভব যথাক্রমে- 0.76 ভোল্ট ও + 0.44 ভোল্ট]উদ্দীপকের-জিংক পাত্রটি ক্যাথোড হিসাবে কাজ করেকোষ বিক্রিয়াটি স্বতঃস্ফূর্ত হবেপাত্রটি ক্ষয়প্রাপ্ত হবেনিচের কোনটি সঠিক?
- Ag+/Ag এবং Au3+/Au অর্ধকোষদ্বয়ের প্রমাণ বিজারণ বিভব + 0.80 V এবং + 1.56 V। এ দুটি অর্ধকোষ দ্বারা গঠিত কোষের বিভব কত?
- তড়িৎ রাসায়নিক সিরিজে Cu ধাতুর অবস্থান-Fe এর উপরেAg এর উপরেH এর নিচেনিচের কোনটি সঠিক?
- একসঙ্গে একাধিক আয়ন থাকলে তড়িৎ বিশ্লেষণের সময় নিচের কোন আয়নটি আগে চার্জমুক্ত হবে?
- ধাতু ক্ষয় একটি রাসায়নিক প্রক্রিয়া- ব্যাখ্যা কর।
- যে কোষে তড়িৎ শক্তিকে রাসায়নিক শক্তিতে রূপান্তরিত করা হয়, তাকে বলা হয়-
- নিচের কোনটি লবণ সেতু (Salt Bridge) এ ব্যবহৃত হয়না?
- (i) Cd/Cd2+(aq) || H+(aq)/H2, Pt; E°cell = +0.398V(ii)Cd/Cd2+(aq) || Ni2+(aq)/Ni; E°cell = +0.148Vউদ্দীপকে Ni2+(aq)/Ni এর তড়িৎদ্বারের বিভব কত?
- জিংক পাত্রে FeSO4, দ্রবণ রাখা হলো। জিংক ও আয়রনের প্রমাণ বিজারণ বিভব যথাক্রমে -0.76V এবং-0.44V।উদ্দীপকে উৎপন্ন কোষটির ক্ষেত্রে-জিংক পাত্রটি ক্যাথোড হিসাবে কাজ করেকোষ বিক্রিয়াটি স্বতঃস্ফূর্তভাবে ঘটেজিংক পাত্রটি ক্ষয়প্রাপ্ত হয়নিচের কোনটি সঠিক?
- [দেওয়া আছে, EoMn/Mn2+= +1.18V এবং EoAl/Al3+ = +1.66V]উদ্দীপকে উল্লেখিত পাত্রটি কিছু দিন পর ছিদ্র হয়ে যাবে কেন?- ব্যাখ্যা করো
- P, Q, R, S ধাতুসমূহের প্রমাণ বিজারণ বিভব হলো যথাক্রমে -3.05V, -1.66V, 0.40V ও 0.80V। এদের কোনটি অধিক সবল বিজারক ?
- কতিপয় ধাতুর জারণ বিভব এর মান দেয়া হলো:(i) A2+(aq)/A(s) =+0.40V(ii) B3+ (aq)/B(s) =+1.66V(iii) P2+(aq)/P(s)=+0.44V(iii) নং দ্রবণকে A ও B ধাতুর নির্মিত পাত্রের কোনটিতে রাখা নিরাপদ? সক্রিয়তার ক্রম দিয়ে বিশ্লেষণ করো।
