(১০খ)প্রশ্ন-৮প্রবাহ বিবর্ধক গুনক α হলো-
A. Ic/IE
B. Ic/IB
C. IB/IE
D. IB/IC
Onushiloni MCQ HSCপদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সTapan (Topic Practice)Onushiloni MCQ HSC - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
A.
Ic/IE
Explanation: 
Related Questions (Any University/Year)
- (১০ক)প্রশ্ন-২৫ডায়োডকে বিমুখী বায়াস করলে নিঃশেষিত স্তর (depletion Layer)-
- (১০ক)প্রশ্ন-৪২একটি জার্মেনিয়াম কেলাসকে p টাইপ অর্ধপরিবাহীতে রূপান্তর করতে প্রয়োজন -
- (১০ঘ)প্রশ্ন-১ওপরের চিত্রটি কোন গেট নির্দেশ করে?
- (১০ঘ)প্রশ্ন-৪ওপরের গেট বর্তনীতে X=A হলে , Y=?
- (১০ক)প্রশ্ন-৩৯তাপমাত্রা বাড়ার সাথে কোনটির বিদ্যুৎ পরিবাহিতা বাড়ে?
- (১০ক)প্রশ্ন-৩২n টাইপ সেমিকন্ডাক্টর হচ্ছে -আর্সেনিক ডোপায়িত জার্মেনিয়াম ফসফরাস ডোপায়িত সিলিকন গ্যালিয়াম ডোপায়িত জার্মেনিয়ামনিচের কোনটি সঠিক?
- (১০গ)প্রশ্ন-৯80 গিগাবাইটে(GB) কত বাইট (B)?
- (১০ক)প্রশ্ন-১২অর্ধপরিবাহীতে গরিষ্ঠ আধান বাহক কোনটি?
- (১০ক)প্রশ্ন-২অন্তরক পদার্থের আপেক্ষিক রোধের ক্রম কত?
- (১০ক)প্রশ্ন-২৬একটি 1.5V বাল্ব একটি ডায়োডের সাথে দুটি 15V এ.সি. এবং দুটি 15V ডি.সি.-তে চিত্রানুযায়ী বিভিন্ন সংযোগে সংযুক্ত। কোন বর্তনীতে বাল্বটি একবারেই জ্বলবে না?
- (১০ক)প্রশ্ন-৩৫নিচের কোনটিকে ডোপেন্ট হিসেবে ব্যবহার করলে অর্ধপরিবাহীর ধর্ম পাওয়া যাবে না?
- (১০ক)প্রশ্ন-১১n-টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য বিশুদ্ধ জার্মেনিয়ামের সাথে যে অপদ্রব্য মিশাতে হয় সেটি নিচের কোনটি?
- (১০ক)প্রশ্ন-৩৮পরমশূন্য তাপমাত্রায় বিশুদ্ধ অর্ধপরিবাহীর পরিবাহিতা কত?
- (১০গ)প্রশ্ন-২হেক্সাডেসিমেল 'C' এর বাইনারি হল-
- (১০ক)প্রশ্ন-৩৭একটি অপদ্রব্যযুক্ত অর্ধপরিবাহী p অথবা n ধরণ নির্ণয় করা হয়-
- (১০গ)প্রশ্ন-৩বাইনারি নম্বর (10111)2 এর ডেসিমেল নম্বর কোনটি?
- (১০খ)প্রশ্ন-৩কোন ট্রানজিস্টরের পীঠ হচ্ছে -
- (১০ঘ)প্রশ্ন-৫উদ্দীপকের টেবিলটি নিচের কোন লজিক গেটের জন্য প্রযোজ্য?
- (১০ক)প্রশ্ন-৩নিচের কোনটি অর্ধপরিবাহীর বৈশিষ্ট্য নয়?
- (১০ঘ)প্রশ্ন-৩নিচের কোন গেটটি AND এবং NOT সমন্বয়ে তৈরি?
- (১০গ)প্রশ্ন-৮98 কে বাইনারি সংখ্যায় রূপান্তরিত কর।
- (১০ক)প্রশ্ন-৩০অর্ধপরিবাহীর ক্ষেত্রে প্রযোজ্য ---এদের রোধকত্ব প্রায় 10-4Ωm পরমশুন্য তাপমাত্রায় এরা অন্তরক হিসেবে কাজ করেপরিবহন ও যোজনব্যান্ডের মধ্যেবর্তী দূরত্ব 1.1eV এর কমনিচের কোনটি সঠিক?
- (১০ক)প্রশ্ন-৩৪p-n জাংশন সংযোগ স্থলে ডিপ্লেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ হল-
- (১০ক)প্রশ্ন-৩১P টাইপ সেমিকন্ডাক্টর হচ্ছে -অ্যালুমিনিয়াম ডোপায়িত সিলিকন বোরন ডোপায়িত জার্মেনিয়াম ফসফরাস ডোপায়িত জার্মেনিয়াম নিচের কোনটি সঠিক?
- (১০খ)প্রশ্ন-১৭একটি ট্রানজিস্টরের সংগ্রাহক প্রবাহ 5 mA এবং ভূমি প্রবাহ 100μA হলে নিঃসারক প্রবাহ কত?
