একটি p-n জংশনের মধ্যে 200mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়। ইহার রোধ কত?
A. 0.25Ω
B. 0.50Ω
C. 0.15Ω
D. 0.35Ω
qb5পদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)qb5 - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
B.
0.50Ω
Explanation: 
Related Questions (Any University/Year)
- কোনটি ডিজিটাল সিগনাল?
- ডায়োডটি আদর্শ হলে I=?
- সাধারণত জাংশন ডায়োড কী হিসেবে ব্যবহার করা হয়?
- চিত্র -১ এর প্রস্তুতিতে ডোপিং প্রক্রিয়া ব্যাখ্যা করো।
- ডায়োডের মধ্য দিয়ে প্রবাহিত কারেন্ট ও গতীয় রোধের মধ্যে সম্পর্ক হল- R = elo; যখন কারেন্ট 1mA তখন ভোল্টেজ ছিল eV। কত mA কারেন্টে 7V পাওয়া যাবে? [R ও In যথাক্রমে kil ও mA এককে প্রকাশিত)
- Si এর সাথে কোন অপদ্রব্যটি যোগ করলে n-type অর্ধ পরিবাহী তৈরী হবে?
- p-টাইপ অর্ধপরিবাহীতে কী ডোপায়িত করা হয়?
- সেমিকন্ডাকটর ডায়োড কি কাজে ব্যবহৃত হয় ?
- সম্মুখী ঝোঁক কাকে বলে?
- ডায়োডকে বিপরীত বায়াস করলে নিঃশেষিত স্তরের বেধ এর কি হয়? (What happens to the width of the depletion layer if a diode is reverse biased?)
- নিবৃত্তি বিভব কী?
- P-N জাংশন ডায়োডের ডিপ্লেশন লেয়ার চার্জ নিরপেক্ষ কেন?
- লেখচিত্র হতে সম্মুখী ঝোঁক এবং বিমুখী ঝোঁকের রোধের মান নির্ণয় করে তুলনা করো।
- কোন গেইটের ইনপুট ও আউটপুট লাইন সমান থাকে
- চিত্র C একটি সিলিন্ডার, যার A অংশটি ফাঁপা এবং B অংশটি পরিবাহী দ্বারা তৈরি। ফাঁপা অংশের ব্যাসার্ধ R1 ও নিরেট কন্ডাক্টর অংশের ব্যাসার্ধ R2। ২.৫(a) R1 দূরত্বে E=? (০১) (b) R1 ও R2 এর মধ্যের অংশে E=? (১.৫)
- কোনটি ডিভাইসের AC সিগনালকে DC সিগনালে রূপান্তরিত করে?
- ডায়োড বিমুখী বায়োস(Reverse biased) হলে নিঃশেষিত স্তর-
- জার্মেনিয়ামের সাথে নিচের কোন মৌলটি যুক্ত করলে n-type অর্ধপরিবাহী তৈরি হবে?
- n-type অর্ধ-পরিবাহী তৈরীতে প্রয়োজনীয় অপদ্রব্যটি হতে হবে-
- বিভব প্রাচীর অতিক্রমের জন্য নূন্যতম যে ভোল্টেজ প্রয়োজন তাকে বলে-
- 2 kΩ রোধের মধ্য দিয়ে প্রবাহ হবে—
- অবিশুদ্ধ অর্ধপরিবাহীর প্রয়োজনীয়তা কী?
- বায়াসিং এর ক্ষেত্রে ডিপ্লেশন স্তরের জন্য কোনটি সঠিক?
- রেকটিফায়ার হতে বিশুদ্ধ DC পাবার জন্য কী করা উচিত?
- The resistance of a conductor is not dependent on which of the following?
