তড়িৎ বিশ্লেষণে কোনটি আগে চার্জমুক্ত হবে?
A.
Cu2+
B. H+
C.
Pb2+
D.
Na+
সঠিক উত্তরঃ
A.
Cu2+
Another Explanation (5): প্রশ্ন: তড়িৎ বিশ্লেষণে কোনটি আগে চার্জমুক্ত হবে?
উত্তর: Cu2+
**ব্যাখ্যা:**
তড়িৎ বিশ্লেষণে চার্জমুক্ত হওয়ার জন্য ধাতু বা আয়নগুলির মধ্যে ইলেকট্রনের বিনিময় ঘটে। সাধারণত, ধাতু বা আয়নটির ধ্রুবক ইলেকট্রোফিলিক ক্ষমতার উপর ভিত্তি করে সিদ্ধান্ত নেওয়া হয়।
**Cu2+ এর বিষয়টি বিবেচনা করলে:**
- Cu2+ আয়নটি ধাতু Cu থেকে ইলেকট্রন গ্রহণ করে ধীরে ধীরে চার্জ মুক্ত হয়।
- ধাতু Cu এর ইলেকট্রোফিলিক ক্ষমতা তুলনামূলকভাবে বেশি, তাই এটি সহজে চার্জহীন বা নিরপেক্ষ অবস্থায় ফিরে যেতে সক্ষম।
**অন্যদিকে:**
- অন্য আয়ন বা ধাতুগুলি যদি হয়, তবে তাদের চার্জমুক্তির সম্ভাবনা ভিন্ন।
সুতরাং, তড়িৎ বিশ্লেষণে, Cu2+ আয়নটি আগে চার্জ মুক্ত হবে কারণ এটি সহজে ইলেকট্রন গ্রহণ করে ধীরে ধীরে নিরপেক্ষ ধাতুতে রূপান্তরিত হয়।
Related Questions (Any University/Year)
- তড়িৎ রাসায়নিক সারি কী?[C-2.4.5, D.B-SciCQ1 : 2023-24]
- উদ্দীপকের C2+দ্রবণ A ধাতু ও B ধাতুর পাত্রে রাখা যাবে কিনা বিক্রিয়ার স্বতঃস্ফূর্ততার নীতি দিয়ে বিশ্লেষণ করো।
- M/M2+ | N+/N; E°M/M2+ = 0.76 V, E°N/N+ = -0.46 Vকোষটির emf মান কত?
- একসঙ্গে একাধিক আয়ন থাকলে তড়িৎ বিশ্লেষণের সময় নিচের কোন আয়নটি আগে চার্জমুক্ত হবে?
- EoFe2+/Fe = -0.44V, EoCu2+/Cu =+0.34V, T=298K'B' পাত্রটি আয়রন নির্মিত হলে কোষটির দীর্ঘ সময় সংরক্ষণের ক্ষেত্রে তোমার মতামত বিশ্লেষণ করো
- জিংক ও আয়রন ধাতু দ্বারা একটি তড়িৎ রাসায়নিক কোষ গঠন করা হলো। কোষটির ক্ষেত্রে জিংক ও আয়রনের প্রমাণ বিজারণ বিভব যথাক্রমে -0.76V এবং-0.44V।উদ্দীপক কোষটির সেল বিভবের মান-
- (i) M²+(aq) + 2e- → M(s); E°M²+(aq)M(s) = + 0.34V(ii) N(s) → N²+(aq) + 2e-; E°NIN²+ (aq) = -0.80Vকোন কোষ ডায়াগ্রামটি সঠিক?
- কোনটি কম সক্রিয় ধাতু?
- (1) A/A2+: E° = +0.75 V (ii) B/B2+:E=+0.40 V (iii) C/C2+: E°=+0.35 V (i) ও (iii) নং তড়িৎদ্বার দ্বারা লবণ সেতুসহ কোষ তৈরি করে তার বিভব নির্ণয় কর।
- কোন আয়নটি আগে চার্জমুক্ত হবে?
- A/A2+ (1M) //B2+(2M)/B; 25°C তাপমাত্রা EoA/A2+= 0.76V; E°B/B2+= - 0.34Vউদ্দীপকের কোষটির emf নির্ণয় করো।
- উদ্দীপকের দ্রবণ Al ধাতুর পাত্রে সংরক্ষণ করা যাবে কী না?বিশ্লেষণ করো।[C-2..4.5, D.B-SciCQ3 : 2023-24]
- [t=25°C; E°zn/zn2+=+0.76V;E°Ni/Ni2+=+0.25V; E°M/M3+=+1.66V]উদ্দীপক কোষটির emf নির্ণয় কর।
- M+M → M2++ M'(s) এখানে, E°M²+/M = + 0.34 V এবং E°M+/M = + 0.80 Vকোষটির EMF কত?
- কোন আয়নটি সহজে চার্জমুক্ত হবে?
- সাধারণ অবস্থায় একটি ভোল্টায়িক বৈদ্যুতিক সেলের e.m.f. হবে?
- X2+ +2e-→X; E°=-0.44 VY2++2e-→Y; E°=-0.25 VZ2++2e-→Z; E°=-2.3 VX ও Y তড়িৎদ্বার দ্বারা গঠিত কোষের বিভব নির্ণয় করো।[C-2.4.5, S.B-SciCQ3 : 2023-24]
- ড্রাইসেল(শুষ্ক কোষ) এর e.m.f কত?
- নিচের কোন ধাতুটি এসিড থেকে H2-কে প্রতিস্থাপিত করতে পারে?
- তড়িৎ রাসায়নিক সিক্রিয়তা সিরিজে নিচের কোনটি সঠিক?
- ডান অর্ধকোষ উপেক্ষা করে Fe/FeSO4 অর্ধকোষ ব্যবহার করা হলে কোষ বিভব কত ভোল্ট হবে?
- মুক্ত শক্তির পরিবর্তন (ΔG) ধনাত্মক হলে তড়িৎ কোষে বিক্রিয়াটি কিরূপ হবে?
- Zn2+/Zn(s) এবং Cu2+/Cu(s) তড়িৎদ্বারদ্বয়য়ের প্রমাণ বিভব যথাক্রমে -0.76V এবং +0.34V হলে পূর্ণ কোষটির প্রমাণ বিভব কত?
- প্রমাণ হাইড্রোজেন তড়িৎদ্বারের বিভব কত?
- কোথায় শুষ্ক কোষের ব্যবহার নেই?