জিংক সালফেটের দ্রবণে নিচের কোনটি যোগ করলে কঠিন জিংক পাওয়া যাবে?
A. Al(s)
B. Cu(s)
C. Fe(s)
D. Sn(s)
qb5রসায়ন দ্বিতীয় পত্রতড়িৎ রসায়নতড়িৎ রাসায়নিক সারি ও ধাতুর সক্রিয়তা সিরিজ (Topic Practice)qb5 - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
A.
Al(s)
Explanation: 
Related Questions (Any University/Year)
- Ca²⁺- এর প্রমাণ বিজারণ বিভব E⁰(V) হলো -
- X (s)+ Y2+ (aq) ⇌X2+ (aq)+ Y (s)E°X2+ (aq)/ X (s)= -0.62 V E°Y2+ (aq)/ Y(s)= 0.20 Vউদ্দীপকের কোষটির কোষ বিভব কত?
- Cell: Zn / Zn 2 + || Ag+ / Ag
- তড়িচ্চালক বল কী?
- A এর জারণ বিভব+ 1.66 V, A এর জারণ মান +3B এর জারণ বিভব + 0.76 V, B এর জারণ মান =+2C এর জারণ বিভব -0.80 V, C এর জারণ মান = +1উদ্দীপকের B দ্বারা নির্মিত পাত্রে C₂SO₄ ও A2(SO4)3 দ্রবণের কোনটি দীর্ঘদিন সংরক্ষণ করা যাবে? ব্যাখ্যা কর।
- E°Zn2+(aq)/Zn(s)=-0.76 VE°Ni2+(aq)/Ni(s)=-0.25 Vউদ্দীপকের কোষ বিক্রিয়া স্বতঃস্ফূর্তভাবে ঘটবে কি? গাণিতিক যুক্তি দাও।[C-2.4.5, Ch.B-SciCQ4 : 2023-24]
- তড়িৎ বিশ্লেষণের সময় একসঙ্গে একাধিক আয়ন থাকলে নিচের কোন আয়নটি আগে চার্জমুক্ত হবে?
- কোন বিক্রিয়াটি স্বতঃস্ফূর্ত ভাবে ঘটে?
- কোনটি H2SO4 থেকে H+ কে প্রতিস্থাপন করতে পারে না?
- E_(Zn^(2+)//Zn)^o ও E_(Ag^(+)//Ag)^o এর মান যথাক্রমে –0.76 V ও 0.80 V হলে, Zn(s)|Zn2+(aq)||Ag+(aq)|Ag(s) কোষের emf কত?
- Zn(s)|Zn2+ || Cu2+(aq)|Cu কোষের অ্যানোড ও ক্যাথোডের প্রমাণ বিভব যথাক্রমে -0.76 v ও 0.34 হলে কোষটির প্রমাণ বিভব হবে-
- Zn2+/Zn(s) এবং Cu2+/Cu(s) তড়িৎদ্বারদ্বয়য়ের প্রমাণ বিভব যথাক্রমে -0.76V এবং +0.34V হলে পূর্ণ কোষটির প্রমাণ বিভব কত?
- নিচের কোন আয়নটি সহজে চার্জমুক্ত হবে?
- কোষের emf নির্ণয়ের সূত্র কোনটি?
- ZN(s) । Zn2+(aq) ।। Cu2+(aq)। Cu(s) কোষের অ্যানোড ও ক্যাথোডের প্রমাণ বিজারণ বিভব যথাক্রমে -0.76 V ও +0.34 V। কোষটির সামগ্রিক বিভব হবে-
- জিংক ও আয়রন ধাতু দ্বারা একটি তড়িৎ রাসায়নিক কোষ গঠন করা হলো। কোষটির ক্ষেত্রে জিংক ও আয়রনের প্রমাণ বিজারণ বিভব যথাক্রমে -0.76V এবং-0.44V।উদ্দীপক কোষটির সেল বিভবের মান-
- কোন বিক্রিয়া স্বতঃস্ফূর্তভাবে ঘটতে হলে, কোষের emf এর মান হতে হবে-
- A: E°A/A2+ = +0.76 VB: E°B/B2+=+ 0.25 VC: E°D/D2+ =+0.34 VA ধাতুর পাত্রে B2+ দ্রবণটি সংরক্ষণ করা যাবে কী? গাণিতকভাবে বিশ্লেষণ কর।
- M/M2+ || N+/N, E°M/M²+ = 0.76 volt এবং E°N/N+= –0.4 volt. প্রদত্ত কোষটির e.m.f কত volt?
- কোনটির চার্জমুক্ত হওয়ার প্রবণতা বেশি?
- লে??? এসিড ব্যাটারি কখন রিচার্জ করা প্রয়োজন?
- জিংক ও আয়রন ধাতু দ্বারা একটি তড়িৎ রাসায়নিক কোষ গঠন করা হলো। কোষটির ক্ষেত্রে জিংক ও আয়রনের প্রমাণ বিজারণ বিভব যথাক্রমে -0.76V এবং-0.44V।উল্লিখিত তথ্যের আলোকে-আয়রনের পাত্রে জিংক লবণের দ্রবণ দীর্ঘকালীন রাখা যাবে নাকোষ বিক্রিয়াটি স্বতঃস্ফূর্তভাবে ঘটবেZn ক্ষয়প্রাপ্ত হবেনিচের কোনটি সঠিক?
- কোন আয়নটি সহজে চার্জমুক্ত হয়?
- তড়িৎদ্বার বিভব কী?
- E.M.F কী?
