আউটপুট ভোল্টেজ নিচের কোনটি?
A. 
B. 
C. 
D. 
qb5পদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)qb5 - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
D.
Explanation:
Related Questions (Any University/Year)
- সাধারণত রেকটিফায়ার ডায়োডে ভোল্টেজের মান কত এর নিচে রাখা হয়?
- পরিবাহী ও ডায়োডের I-V লেখচিত্রের কোনো পার্থক্য আছে কি? ব্যাখ্যা কর।
- P-n জাংশন ডায়োডের V-I বৈশিষ্ট্য লেখচিত্রে সম্মুখ ঝোঁকে ওহমের সূত্র প্রযোজ্য কিনা— ব্যাখ্যা করো।
- যে সকল ইলেকট্রনিক বর্তনী এক বা একাধিক ইনপুট গ্রহণ করে বুলিয়ান বীজগণিত অনুযায়ী প্রক্রিয়াজাত করে একটিমাত্র আউটপুট প্রদান করে তাকে কী বলে?
- নিচের কোন গেইটটি AND এবং NOT গেইটের সমন্বয়ে তৈরি?
- p-টাইপ অর্ধপরিবাহীতে কোন মৌল ডোপিং এ ব্যবহৃত হয়?
- সম্মুখ ঝোঁক কাকে বলে?
- P টাইপ অর্ধপরিবাহিতে অপদ্রব্য হিসেবে থাকে-
- একটি ডায়োডে বিভব 1.2 volt থেকে 2V করা হলো। গতীয়রোধ 0.36Ω হলে, প্রবাহ 1A থেকে বৃদ্ধি পেয়ে কত হবে?
- ১নং চিত্রে প্রদত্ত ডায়োডের অনুরূপ ৪টি ডায়োডকেবর্তনীর ন্যায় যুক্ত করা হলো (চিত্র-২)। যে কোনো একটি ডায়োডের সম্মুখবর্তী ঝোঁকে 0.12 V বিভব পরিবর্তন 3 × 10-2A তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তন ঘটে।বাল্বটি সবসময় জ্বলতে থাকবে এটি সম্ভব করতে হলে D₁ ও D₂ এর সংযোগে কী পরিবর্তন আনতে হবে? চিত্র অঙ্কনপূর্বক বিশ্লেষণ কর।
- কোনটি ডিজিটাল সিগনাল?
- n-type অর্ধ পরিবাহী তৈরি করতে কোন ধরনের অপদ্রব্যের প্রয়োজন?
- রিভার্স বায়াসে প্রবাহের মান কেমন হয়?
- ১নং চিত্রে প্রদত্ত ডায়োডের অনুরূপ ৪টি ডায়োডকেবর্তনীর ন্যায় যুক্ত করা হলো (চিত্র-২)। যে কোনো একটি ডায়োডের সম্মুখবর্তী ঝোঁকে 0.12 V বিভব পরিবর্তন 3 × 10-2A তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তন ঘটে।D₁ এর গতীয় রোধ নির্ণয় কর।
- p-ধরন অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য বিশুদ্ধ সিলিকনের সাথে অপদ্রব মিশাতে হয় সেটি নিচের কোনটি?
- যদি ত্রিযোজী মৌল সিলিকনের মধ্যে ডোপিং করা হয়, তাহলে সিলিকনের পরিবাহিতার কি ধরণের পরিবর্তন হবে?
- যে যন্ত্রটি দিক পরিবর্তী বিদ্যুৎ প্রবাহকে এক দিকবর্তী করে তার নাম-
- Break down voltage কাকে বলে?
- বিশুদ্ধ অর্ধপরিবাহীতে ভেজাল মিশ্রিত করা হয় কেন- ব্যাখ্যা কর।
- সিলিকনের বিভব প্রাচীর-
- p-টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য সিলিকন এর সাথে কোন অপদ্রব্য মিশ্রিত করা হয়?
- ডায়োডকে বিমুখী বায়াস করলে Depletion Layer-
- Si ও Ge এর Knee-voltage যথাক্রমে 0.7 V 3 0.3 V রোধটির মধ্য দিয়ে প্রবাহিত তড়িৎ-
- Forward bias এর ক্ষেত্রে বিভব বাড়ালে কোনটি ঘটে?
- পূর্ণতরঙ্গ ব্রিজ রেকটিফায়ারে চারটি ডায়োড ব্যবহার করা হয় কেন? ব্যাখ্যা কর।
