n-type অর্ধপরিবাহীর সংখ্যাগরিষ্ঠ বাহক হলো-
A. ইলেকট্রন
B. প্রোটন
C. নিউট্রন
D. আয়ন
qb5পদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)qb5 - ⚡ অনলাইন প্রশ্নব্যাংক দেখুন 💥
সঠিক উত্তরঃ
A.
ইলেকট্রন
Explanation:
Related Questions (Any University/Year)
- কোনটিকে ডোপেন্ট হিসেবে ব্যবহার করলে Si এর p- টাইপ অর্ধপরিবাহী ধর্ম পাওয়া যাবে না ?
- n-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর তৈরিতে ডোপায়ন হিসেবে নিচের কোনটি ব্যবহার করা হয়?
- p-nজাংশনে নিঃশেষিত অঞ্চলের বেধ কত?
- কোন জাংশনের বিভব পার্থক্য 1.1V থেকে বাড়িয়ে 1.3V করায় প্রবাহমাত্রা 25mA থেকে 42mA হয়ে গেল। গতীয়রোধ কত?
- P-type অর্ধপরিবাহকে সংখ্যাগরিষ্ঠ বাহক হোল কেন?
- নিচের কোন বাক্যটি সঠিক?
- কোনো p-n জাংশনের গতীয় রোধ কত হলে 0.4 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তনের জন্য তড়িৎ প্রবাহ 30 mA থেকে 35 mA এ উন্নীত হবে?
- ফরোয়ার্ড বায়াস প্রয়োগের ফলে প্রবাহিত তড়িৎ প্রবাহের মান নিম্নের কোন মাত্রার হয়?
- একটি p-n জাংশনের গতীয় রোধ 40Ω। এর বিভব পার্থক্য 0.2 V পরিবর্তন করলে আনুষাঙ্গিক তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তন কত হবে?
- একটি n-p-n ট্রানজিস্টারকে নিঃসারক বর্তনীতে রাখা আছে। ট্রানজিস্টারটির প্রবাহ লাভ β = 200। সংগ্রাহক প্রবাহ 1mA পরিবর্তিত হলে নিঃসারক প্রবাহের পরিবর্তন কত হবে?
- p-টাইপ অর্ধপরিবাহীতে কোন মৌল ডোপিং এ ব্যবহৃত হয়?
- p-n ডায়োডকে রেক্টিফায়ার হিসাবে ব্যবহার করা হলে, তড়িৎ প্রবাহ-
- সার্কিট এ II = ?
- দ্বি- পোলার NPN জাংশন ট্রানজিস্টর কাজ করার জন্য নিঃসারকের সাপেক্ষে বিভিন্ন তড়িৎদ্বারের পোলারিটি –
- What is diode used as generally?
- বিশুদ্ধ অর্ধপরিবাহীতে ভেজাল মিশ্রিত করা হয় কেন- ব্যাখ্যা কর।
- জেনার ভোল্টেজ কাকে বলে?
- বিনা বায়াসে P-N জাংশন ডায়োডে দু'প্রান্তের বিভব পার্থক্য মাপা যাবে কি না ব্যাখ্যা করো।
- \((110101101100)_2\) বাইনারি সংখ্যাটির সমতূল্য হেক্সাডেসিমাল সংখ্যা হবে-
- p-n জাংশনে 300 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনে দুই প্রান্তে 0.1V বিভব পার্থক্য পরিবর্তিত হলে গতীয়রোধ কত?
- p - জাংশন ডায়োডে বিমুখী ঝোঁক প্রদান করলে নিঃশেষিত স্তর বৃদ্ধি পায়- ব্যাখ্যা কর।
- P - n জাংশন ডায়োডের ডিপ্লেশন লেয়ার চার্জ নিরপেক্ষ কেন? ব্যাখ্যা করো।
- একটি অর্ধপরিবাহীকে n-টাইপ করার জন্য যে অপদ্রব্য মিশানো হয় তাহলো-
- URL এর পূর্ণরূপ-
- What is used for doping to make n-type semiconductor?