নিচের কোনটি তড়িৎ অর্ধপরিবাহীর (semiconductor) উদাহরণ?
A. Nb3Ge-Alloy
B. Aluminium (Al)
C. Copper (Cu)
D. Silicon (si)
সঠিক উত্তরঃ
D.
Silicon (si)
Explanation:
Nb3Ge-Alloy - সুপারকন্ডাক্টর
Aluminum, copper---তড়িৎ সুপরিবাহী
silicon - তড়িৎ অর্ধপরিবাহী
Related Questions (Any University/Year)
- (99)16 এর পরের সংখ্যাটি কত?
- (101101)₂ এর দশভিত্তিক মান কোনটি?
- কোনটি সুপরিবাহী নয়?
- P- টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য বিশুদ্ধ সিলিকনের সাথে কোন অপদ্রব্য মিশাতে হবে?
- একটা ব্রিজ রেক্টিফায়ার বর্তনীর ইনপুট সংকেতের কম্পাংক 50 Hz হলে এর আউটপুট সংকেতের কম্পাংক কত হবে?
- একটি ট্রানজিস্টরের α = 0.98 এবং IE = 1.5 mA হলে IB এর মান কত?
- একটি ক্যাপাসিটর কাজ করে-
- একটি ট্রান্সফরমারের মূল কুন্ডলীতে পাক সংখ্যা 200 এবং বিভব পার্থক্য 200 V । গৌণ কুন্ডলীতে বিভব পার্থক্য 10 V হলে এর পাক সংখ্যা কত হবে?
- নিচের কোন গেটটি একাধিকবার ব্যবহার করে যে কোন ডিজিটাল বর্তনী তৈরি করা যায়? (Which one of the following gates can be used repeatedly to make any digital circuit?)
- বাইনারী বিয়োগের ক্ষেত্রে, 11001 - 1010 = ?
- স্ট্যাটিক ইলেকট্রিসিটি ডিসচার্জ দ্বারা কোন ধরনের ইলেকট্রনিকস সহজেই ক্ষতিগ্রস্ত হতে পারে?
- ডায়োড বিমুখী বায়োস(Reverse biased) হলে নিঃশেষিত স্তর-
- বাইনারী বিয়োগের ক্ষেত্রে, 10010-1011=?
- n-টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য বিশুদ্ধ জার্মেনিয়ামের সাথে অপদ্রব্য হিসাবে যোগ করা হয়—
- কক্ষ তাপমাত্রায় বিশুদ্ধ সিলিকনের ক্ষেত্রে নিষিদ্ধ শক্তির ব্যবধান কত? (What is the forbidden energy gap for pure silicon at room temperature?)
- কোনটি অ্যামপ্লিফায়ার হিসেবে ব্যবহৃত হয়?
- (0.875)10 কে বাইনারিতে রূপান্তরিত কর?
- তাপমাত্রা বাড়ালে অর্ধপরীবারহির রোধ-
- ট্রানজিস্টর এর অসুবিধা নিচের কোনটি?
- একটি জাংশনে সম্মুখ বায়াসের বিভব পার্থক্য 2.2V থেকে বাড়িয়ে 2.38V করা হলে, বিদ্যুৎ প্রবাহ 350 mA বৃদ্ধি পেল। জাংশনের গতীয় রোধ কত?
- ডোপান্ট কী?
- নিম্নের কোনটি সঠিক নয়?
- নিচের কোনটি এসি-কে ডিসি-তে রুপান্তরিত করে?
- একটি XOR লজিক গেট নিম্নলিখিত কোন লজিক গেড়/গেটগুলোর সমন্বয়ে গঠিত হতে পারে ?
- নিচের কোনটি লজিক গেট নয়?
