An+ (aq) + B(s) ⟶ A(s) + Bn+ (aq); এই কোষ বিক্রিয়ার আলোকে নার্নস্ট সমীকরণ কোনটি?
A.
E_(cell)=E_(cell)^o-(RT)/(nF)ln(([A^(n+)])/([B^(n+)]))
B.
E_(cell)=E_(cell)^o-(RT)/(nF)ln(([B^(n+)])/([A^(n+)]))
C.
E_(cell)=E_(cell)^o-(2.303RT)/(F)log(([A^(n+)])/([B^(n+)]))
D.
E_(cell)=E_(cell)^o-(2.303RT)/(F)log(([B^(n+)])/([A^(n+)]))
সঠিক উত্তরঃ
B.
E_(cell)=E_(cell)^o-(RT)/(nF)ln(([B^(n+)])/([A^(n+)]))
Explanation:

Another Explanation (5):
আদর্শ অবস্থায় \( A^{n+}(aq) + B(s) \longrightarrow A(s) + B^{n+}(aq) \) কোষ বিক্রিয়ার নার্নস্ট সমীকরণটি হলো:
\( E_{cell} = E_{cell}^o - \frac{RT}{nF} \ln \frac{[B^{n+}]}{[A^{n+}]} \)
এখানে,
* \( E_{cell} \) = কোষ বিভব
* \( E_{cell}^o \) = প্রমাণ কোষ বিভব
* \( R \) = গ্যাস ধ্রুবক (8.314 J/mol⋅K)
* \( T \) = তাপমাত্রা (কেলভিন এককে)
* \( n \) = স্থানান্তরিত ইলেকট্রনের সংখ্যা
* \( F \) = ফ্যারাডে ধ্রুবক (96485 C/mol)
* \( [B^{n+}] \) = \( B^{n+} \) এর মোলার ঘনমাত্রা
* \( [A^{n+}] \) = \( A^{n+} \) এর মোলার ঘনমাত্রা
📏সংজ্ঞা: নার্নস্ট সমীকরণ ব্যবহার করে প্রমাণ অবস্থায় নেই এমন কোষের তড়িৎবিভব নির্ণয় করা যায়।🧪
Related Questions (Any University/Year)
- pH মিটারে H3PO4 এসিডের দ্রবণ নেয়া হলে 60°C তাপমাত্রায় মিটারে EMF পাওয়া যায় পাওয়া যায় 0.38 V। দ্রবণটির ঘনমাত্রা নির্ণয় কর। [নির্দেশক তড়িৎদ্বারের প্রমাণ বিজারণ বিভব 0.30 V]
- 298 K তাপমাত্রায় নিম্নোক্ত তড়িৎ রাসায়নিক কোষের জন্য, x এর মান নির্ণয় কর। Pt(s)|H2(g)(1 bar)|H+(aq) (1M) | |M4+ (aq), M²+(aq) | Pt(s)[ EoM4+/M2+=0.151 V;Ecell=0.092 V , [M^(2+)/M^(4+)]=10^x
- নিচের কোন আয়নের ঘনমাত্রায় Zn(s)/Zn2+(aq) II Fe3+ (aq)/Fe2+(aq), Pt(s) সেলের বিভব, এর প্রমাণ সেল বিভবের চেয়ে বেশি? (In which of the following ion concentration, the potential of the cell, Zn(s)/Zn2+(aq) II Fe3+ (aq)/Fe2+(aq), Pt(s) is higher than its standard cell potential?)
- Ni/Ni²+ (0.15 M), E°Ni2+ /Ni = - 0.18voltAg/Ag+ (0.2M), E° Ag+/Ag =+ 0.799volt 25°C তাপমাত্রায় তড়িৎদ্বারদ্বয় সমন্বয়ে গঠিত কোষের কোষ বিভব নির্ণয় কর।
- 25°C তাপমাত্রায় নিচের কোষটির তড়িচ্চালক বলের মান কত? Zn | Zn2+ (0.001 M) || Ag+ (0.1 M) | Ag [Eocell = 1.56 V]
- EoFe2+/Fe = -0.44V, EoCu2+/Cu =+0.34V, T=298Kকোষটির e.m.f. নির্ণয় করো।
- 25°C তাপমাত্রায় একটি কোষ নিম্নরূপ: Al/Al3+(0.2M) || B2+(0.1M)/Bযেখানে E°Al/Al3+= +1.60V; E°B/B2+= +0.44V; E°Zn2+/Zn= -0.76V এবং E°Cu2+/Cu= +0.34Vউদ্দীপকের কোষটির emf হিসেব কর।
- নিচের তথ্যগুলো লক্ষ কর এবং প্রশ্নগুলোর উত্তর দাও: E°M2+/M= 0.34 V (i) E°A3+/A = 0.77 V (ii) E°B-/B= 0.54 Vউদ্দীপকের (i) ও (ii) নং দ্বারা কোষ গঠন করে সাম্যধ্রুবকের মান গণনা কর।
- E°Mg2+/Mg=-2.36 VE°Fe2+/Fe=-0.44 VE°Sn2+/Sn=-0.14 V25°C তাপমাত্রায় উদ্দীপকের কোষের কোষবিভব নির্ণয় কর।
- \(Fe^{2+}(0.2)/Fe\) এবং \(Cu^{2+}(0.1)/Cu\) এর EMF কত? [$Fe^{2+}/Fe=-0.44~V, Cu^{2+}/Cu=0.34~V$]
- নিচের কোষটির EMF কত? Zn/Zn2+ (0.001 M)| |Ag+ (0.1M) Ag [Ecell = 1.56 V]
- X/X2+(0.15M) || Y+(0.2M)/YE°Y2+/Y= +0.80V, E°x2+/x = -0.14V তাপমাত্রা=298 Kউদ্দীপকের কোষটির বিভব নির্ণয় করো।
- [ 'A'এবং 'B' এর পারমাণবিক সংখ্যা যথাক্রমে 12 ও 24 এবং EA/A2+ = +2.36 V ও E°B/B2+=+0.74 V]উদ্দীপক সেলের তড়িচ্চালক বল নির্ণয় কর
- Al(s), Al3+(aq) || Sn2+ (aq), Sn(s)E০Al3+/Al = 1.66(V) এবং E০Sn2+/Sn = -0.14(V)Sn2+ এর ঘনমাত্রা 0.15M এবং Al3+ এর ঘনমাত্রা 0.25M হলে কোষটির তড়িচ্চালক বল নির্ণয় করো।
- নার্নস্টের তত্ত্ব অনুযায়ী ধাতু বা H_{2} এর কিছু অংশ দ্রবণে স্ব স্ব ধনাত্মক আয়ন হিসেবে চলে যাওয়ার প্রবণতাকে কী বলে?
- 30°C তাপমাত্রায় নিচের কোষের e.m.f কত? [Pb/Pb2+(1M)।। H+(0.4M) /H2(1atm) pt, E0 = 0.14V]
- pH মিটারে H₂SO₄ এসিডের দ্রবণ নেয়া হলে 25°C তাপমাত্রায় মিটারে EMF পাওয়া যায় 0.33 Volt। দ্রবণে এসিডের ঘনমাত্রা নির্ণয় কর। [নির্দেশক তড়িৎদ্বারে বিজারণ বিভব +0.28 Volt]
- দেওয়া আছে, E°Fe2+/Fe=-0.44 V এবং E°Cu2+/Cu=+0.34 Vউদ্দীপকের Q কোষের কোষ বিক্রিয়া স্বতঃস্ফূর্তভাবে ঘটবে কি? গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ কর।
- 250C তাপমাত্রায় নিম্নের কোষগুলোর তড়িৎচালক বল গণনা কর। [ Fe, Cu এবং Sn E^0 o"x এর মান যথাক্রম 0.44, -0.337 ও 0.14 V । Cu2+,Sn2+, এবং Fe2+ এর ঘনমাত্রা যথাক্রমে 0.3M, 0,1M ও 0.3 M]a) Fe/Fe2+ | | Cu2+/ Cub) Fe/Fe2+ | | Sn2+/Sn
- 25°C তাপমাত্রায় নিচের কোষটির তড়িচ্চালক বলের মান কত? Ag | AgNO3 (0.08 M) || AgNO3 (0.001 M) | Ag
- 35°C তাপমাত্রায় পৃথকভাবে যথাক্রমে x M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণ ও 0.75M ঘনমাত্রার CuSO4 দ্রবণকে নিয়ে y M ঘনমাত্রার ZnSO4 দ্রবণ ব্যবহার করে দুটি গ্যালভানিক কোষ গঠন করা হলো। দ্বিতীয় কোষটির তড়িৎচালক বলের মান প্রথমটি অপেক্ষা 0.05V বেশি। x এর মান নির্ণয় কর।
- 42°C তাপমাত্রায় Sn | SnCl2 (0.70M) অর্ধকোষটির কোষ বিভব (emf) কত হবে? এখানে E°Sn/Sn++= 0.14 volt]
- Zn(s)+Ni2+(aq) (0.1 M)→ Zn2+ (aq)(0.1 M)+Ni(s)Zn এর প্রমাণ জারণ বিভব = 0.76 V এবং Eocell=0.51 V25°C তাপমাত্রায় Ni2+(aq)(0.1M)→ Ni(s) এর অর্ধকোষ বিভব নির্ণয় কর।
- Zn/Zn2+ (M₁) || Cu2+ (M₂)/Cu কোষের কোষ বিক্রিয়ার ফলে 25°C তাপমাত্রায় (M₁ = 0.04M, M₂ = 0.001M) ও (M₁ = 1 0.002M, M2 = 0.015M) এর জন্য মুক্তশক্তির পরিবর্তনের পার্থক্য বের কর। [দেওয়া আছে Zn2+/Zn = -0.76 V এবং Cu2+/Cu = +0.34V (প্রমাণ অবস্থায়)]
- একটি Cu পাতকে 0.115M Cu2+ আয়নের দ্রবণে ডুবালে 25°C তাপমাত্রায় তার সঠিক বিভব কোনটি?[E°Cu2+/Cu=+0.34V]