বিপরীত ঝোঁকে ডায়োডে তড়িৎ প্রবাহ হয় না কেন? ব্যাখ্যা করো।
A.
B.
C.
D.
পদার্থবিজ্ঞান দ্বিতীয় পত্রসেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্সএন ও পি টাইপ সেমিকন্ডাক্টর ও ডায়োড (Topic Practice)
Explanation:
Related Questions (Any University/Year)
- কোন p-n জাংশনে 0.7V বিভব পার্থক্য করে 12mA প্রবাহ পাওয়া যায় এবং বিভব পার্থক্য 0.3V বাড়ালে বিদ্যুৎ প্রবাহ 12mA বাড়ে।জাংশন রোধ কত?
- বিশুদ্ধ অর্ধ পরিবাহীতে কোন অপদ্রব্য মেশালে n টাইপ অর্ধ পরিবাহী তৈরি হয়?
- একটি জার্মেনিয়াম কেলাসকে P টাইপ অর্ধপরিবাহীতে রূপান্তরিত করতে প্রয়োজন-
- পর্যায় সারণির কোন মৌলটি ব্যবহার করে n-টাইপ অর্ধপরিবাহী পাওয়া যায়?
- কোনো p-n জাংশনে সম্মুখ ঝোঁকে II ও V এর সম্পর্ক V=ln(I2); যখন প্রবাহ 2Amp, তখন গতীয় রোধ কত?
- অর্ধপরিবাহী ডায়োডের কাজ কি?
- If the length of a solenoid having I0 self inductance is doubled, then what will be its changed self inductance?
- একটি N টাইপ অর্ধপরিবাহীর বৈশিষ্ট্য হলো _
- একটি p-n জংশনের মধ্যে 200mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর দুই প্রান্তে 0.1V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তন হয়। ইহার রোধ কত?
- নিচের কোনটিকে ডোপেন্ট হিসাবে ব্যবহার করলে ρ - টাইপ অর্ধপরিবাহীর ধর্ম পাওয়া যাবে না?
- p-ধরন অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য বিশুদ্ধ সিলিকনের সাথে অপদ্রব মিশাতে হয় সেটি নিচের কোনটি?
- নিচের কোন ডিভাইস এসিকে ডিসিতে রূপান্তর করে?
- p-n-p ট্রানজিস্টরে IB=0.05A ও IC=0.5A=0.5A হলে IE=?
- কোনো p-n জাংশনে 0.5V বিভব পার্থক্যের জন্য প্রবাহ 40mA ও 0.35V বিভব পার্থক্যের জন্য প্রবাহ 35mA পাওয়া গেলে গতীয় রোধ কত?
- একটি p-n জাংশনের গতীয় রোধ 40 Ω। এর বিভব পার্থক্য 0.2 V পরিবর্তন করলে আনুষাঙ্গিক তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তন কত হবে?
- রেকটিফায়ার হতে বিশুদ্ধ DC পাবার জন্য কী করা উচিত?
- Si এর অভ্যন্তরীণ বিভব প্রাচীর ভোল্টেজ কত?
- নিঃশোষিত স্তর কাকে বলে
- কোনো p-n জাংশনের গতীয় রোধ কত হলে 0.4 V বিভব পার্থক্যের পরিবর্তনের জন্য তড়িৎ প্রবাহ 30 mA থেকে 35 mA এ উন্নীত হবে?
- P-type অর্ধপরিবাহকে সংখ্যাগরিষ্ঠ বাহক হোল কেন?
- পরিবাহী ও ডায়োডের I-V লেখচিত্রের কোনো পার্থক্য আছে কি? ব্যাখ্যা কর।
- সম্মুখী ঝোঁক কাকে বলে?
- কোন ট্রানজিস্টরের \( I_c = 0.95 \, \text{mA} \) এবং \( I_B = 1.0 \, \text{mA} \) হলে, এর প্রবাহ বিবর্ধন গুণক কত?
- চিত্র C একটি সিলিন্ডার, যার A অংশটি ফাঁপা এবং B অংশটি পরিবাহী দ্বারা তৈরি। ফাঁপা অংশের ব্যাসার্ধ R1 ও নিরেট কন্ডাক্টর অংশের ব্যাসার্ধ R2। ২.৫(a) R1 দূরত্বে E=? (০১) (b) R1 ও R2 এর মধ্যের অংশে E=? (১.৫)
- What is the difference of energy in between valence band and conduction band of silicon?
